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数量:25115 |
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| 规格书 |
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| 包装 | 4SOT-223 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 最大连续漏极电流 | 0.12 A |
| RDS -于 | 45000@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 7.7 ns |
| 典型上升时间 | 14.4 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 典型下降时间 | 110 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 案例 | SOT223 |
| Transistor type | N-MOSFET |
| Drain-source voltage | 600V |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | 120mA |
| Multiplicity | 1 |
| Gross weight | 0.03 g |
| Collective package [pcs] | 1000 |
| spg | 1000 |
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